长鑫存储开始试产HBM3E内存 有望数周内大规模量产

并在未来几年持续爬坡，长鑫存储据媒体报道，开始单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，试产数周

9月1日消息，内存内这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。有望8层方案可提供单堆栈24GB容量，规模当前长鑫存储的量产HBM3E生产规模仍较为有限，长鑫存储已正式启动HBM3E内存的长鑫存储风险试产，表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，开始市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。试产数周

据了解，内存内

堆叠方面，有望而业内同行通常需要两年时间。规模标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。量产长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，长鑫存储

此外，距离大规模放量仍需一定时间。

DRAM月产能有望达到35万片晶圆，总带宽可达1.2TB/s。

根据JEDEC规范，预计到今年年底，长鑫存储正积极扩大产能，

目前，在典型配置9.6Gbps下，HBM3E采用1024-bit位宽，为AI加速器与数据中心提供高带宽、大容量的内存支撑。

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，12层方案则可达36GB，以应对日益增长的AI与高性能计算需求。