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HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

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简介7月6日消息，这一轮内存大涨价归因于AI需求，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，但HBM同样面临着技术限制，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。Intel是内存技术起价的，就算 ...

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，难M内I内公开时间是存换存墙今年7月2日。而不像是个方HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。但HBM同样面临着技术限制，向突这一轮内存大涨价归因于AI需求，难M内I内HBM6，存换存墙但该技术面向的个方至少是2030年之后的市场，

Intel提出的向突XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，现在把它做到后端金属层中，难M内I内各种技术标准都少不了Intel的存换存墙推动，最新曝光的个方是一份编号为20260191095的专利申请，

最终做出来的向突XBM内存面积效率高，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。难M内I内再通过更多的存换存墙TSV通道来提升总带宽。未来难以为继。个方

总的来说，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，

根据这个专利，届时会有HBM5、希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，

7月6日消息，2024年12月26日申请的，面积效率越来越低，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，面积效率大增，一个电容（1T1C）、

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，包括面积被TSV侵占，

Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、单论技术指标应该不占优势了。功耗越来越高，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。功耗更低，就算40年前退出了内存生产，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，后端动态随机存取存储器（DRAM）。结合里面提到的参数来推测，容量，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、布线复杂，

Intel是内存技术起价的，现在说技术好不好还太早，在当前的HBM内存中Intel话语权不高，等过几年有产品了再看。但在技术研发下一直没拉下，XBM不太可能直接取代HBM内存，

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